| 碳化硅材料 | 導(dǎo)熱系數(shù) [Wm -1 K -1 ] | 熱射流率 [Js -0.5 m -2 K -1 ] |
|---|---|---|
| 4H-C碳化硅 | 440 | 30,400 |
| 6H-C SiC單晶 | 366 | 28,100 |
| 碳化硅單晶 | 274 | 24,200 |
用熱顯微鏡TM3評價(jià)材料的熱射流均勻性
AlN的熱射流率分布評估，可以確認(rèn)，AlN 的壓痕部分的熱擴(kuò)散率低。
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hrd-thermal設(shè)備SiC多晶的熱射流率分布案列介紹
測量了 SiC 多晶（陶瓷）的熱射流率分布，并可視化了燒結(jié)體微米級(jí)的熱射流率分布。此外，可以測量作為寬帶隙材料的 GaN 和金剛石。
現(xiàn)在可以以微米量級(jí)的分辨率測量各種材料的熱特性（熱導(dǎo)率/熱流出率）分布。通過評估材料的熱性能（導(dǎo)熱率/熱流出率）分布，可以預(yù)期高導(dǎo)熱材料的特性將得到顯著改善。
